Si二极管的正向导通电压是多少?

从理论计算上来说，二极管正向是一直导通，正向电流是关于正向压降的类指数函数：

当Va很小时，Id很小，近似认为没有电流，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加，所以计算出的VF较小。

受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的，经计算，硅在300K下，一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v（也有的书取0.6v）就可以了。从上面的公式看出当温度升高时，对应的VF也升高，所以说当温度较高时，VF是可能大于0.7v的。参杂浓度也会影响VF，但具体计算比较复杂，不做过多讨论。

上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容，比较复杂，具体可以见下面这个ppt上的内容：

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正向导通电压如图示：

Si二极管的正向导通电压一般是2.5V~3.6V

开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。
　　
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

由图可知，在二极管的正向（偏）电压大于Vth时才会有明显的正向电流，这样的情况才被视为导通，因此Vth被称为开启电压、门槛电压或死区电压（正向电压小于Vth时，管子的电流极小可以被忽略，故将0~Vth的电压区间称为死区）。硅管的Vth约为0.5V。

二极管的导通压降不是一个常量，而且当其导通电流有较大变化时，导通电压变化却较小。因半导体材料能承受的功率有限，即管子的导通电流不能太大，因此硅二极管的导通压降范围为0.6~0.8V。为了简化分析计算，一般将硅二极管的导通压降取为0.7V。

书上指的是二极管的导通电压的一个范围，适就范围厂
有人讲的是0.7以上，这个单个元件实际使用时的降压，它与本身的材料及环境因素，如加的电流也有关系，两者都没错

“为什么不能是0.7v以上的数值”，因为有部分元件，因做工的差异，在0.6V可能也会导通，所以一般给出的都是范围，包括厂家的规格书

门槛电压与导通电压是一个意思，不同说法而已

书看仔细点，压降和反向饱和电流相关的。同时，你用不同的正向电流去测，压降也不一样哦所以有时候用不同的万用表测同一个管子，压降也不一样。实际上用同一个万用表测不同的二极管或PN结，耐流小的降一般比较大，有些电力上用的管子可能标称的压降是1.2V，用万用表测出来是0.5几伏，这是因为标称的压降是在比较大的测试电流下测的。