FRAM就是铁电存储器,运用了铁电效应,是一种高性能的非易失性存储器,结合了传统非易失性存储器(闪存和E2PROM)和高速RAM(SRAM和DRAM)的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求;1012次的读写次数,这个是凸显它的卓越的读写能力的,比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求;+85度数据能保存10年,这个应该说是FRAM的一个亮点,比较适合需要长期存储数据的领域;每一个FRAM都会有电压范围,不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子,相信随着你的学习,你会发现FRAM其实是个很简单的东西,知道原理后,做应用就会变得很容易。
FRAM就是铁电存储器,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,特点就是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如EEPROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。容量是根据你要做啥定,哎,例子你自己去找,好几个厂商都做这个。