bios中ECC校验在哪个位子关

在高级芯片组参数“Advanced Chipset Features”中设置1.(4):
该选项可针对芯片组(Chipset)所提供的高级功能做调整设置，让系统性能又快又稳。芯片级参数设置在不同BIOS中的具体设置项不尽相同。这里我们选用的是Intel的845D芯片进行讲述，如果你对这里的选项不太熟悉，请直接按照系统默认值设置即可。在BIOS设置主画面中，移动高亮条到“Advanced Chipset Features”选项，然后按下回车键即可进入高级芯片设置画面。
1.设置内存读写模式
(1)DRAM Timing Selectable：CPU最先搭配使用的是内存，因此内存相关的设置值皆是固定的。本项设置参数都经过厂商测试确认，除非发生不正常操作，一般不建议你更改任何设置参数。一般而言，系统常见的问题，不外乎是将不同速度的内存放在一起使用，造成内存分配不均的问题；此外，不同工作电压混用的情况也会导致系统死机，常见的问题是，无法将200MHz的DDR DRAM超频至266MHz，及CL速度设置错误。一般正常情况下，无需作设置参数的调整。可以设置的值：200MHz、266MHz。优化设置建议：请根据自己内存具体情况进行设置。
(2)DRAM RAS# to CAS# Delay：
用于设置内存收到一个CAS信号时，要等多少个Clock才开始读/写数据。等待的时间越短，整体性能就越佳。
可以设置的值：2表示等待2个运算周期；3表示等待3个运算周期，此项为默认设置。
优化设置建议：保持系统默认设置。
(3)DRAM RAS# precharge：
如果允许RAS在DRAM刷新之前通过不足的循环次数充电，那么刷新可能会失败，同时DRAM也有可能会因此丢失数据，“FAST”能提供更高的性能，“SLOW”提供更稳定的性能。
可以设置的值：2表示等待2个运算周期；3表示等待3个运算周期，此项为默认设置。
优化设置建议：此项功能只有在安装同步内存的系统中有效，保持系统默认设置即可。
(4)DRAM Data Integrity Mode：
该项可以设置DRAM数据的校验模式。
可以设置的值：Non-ECC，不需要ECC校验，此项为默认设置；ECC，需要进行ECC校验。
优化设置建议：如果你的DDR带有ECC校验功能，请选择“ECC”选项。