场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
以N沟道为例,场效管有G极,D极,S极,还有一个衬底,通常场效应管出厂时,S极都和衬底连接在一起了,所以我们看到一般都只有三个管脚。N沟道管,要在G和S之间加上正向电压,即G正,S地,由于G和S之间存在绝缘层,所会形成一个G指向S的电场,在电场的作用下,电子会流向G,但由于绝缘层存在,挡住了电子的运动,而在D和S之间形成一电子沟道。使D和S处于导通。所以只要GS这间的电场消失,那D和S就会回到截止状态。所以场效应管是加电产生电场而导通,没有太多电浪费。
场效应管是多子导电, 而晶体管则是既利用多子, 又利用少子. 按我的理解,场效应管的开关速度比三极管快,能控制大电流。
工作原理见:http://wenku.baidu.com/view/3a5fb5bd960590c69ec37677.html
应用见:http://apps.hi.baidu.com/share/detail/31540653
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就是在G极加电压控制S-D极的通断了