静电在LED显示屏生产过程中的危害 如果在生产任何环节上忽视防静电,它将会引起电子设备失灵甚至使其损坏。 当半导体器件单独放置或装入电路时,即使没有加电,由于静电也可能造成这些器件的永久性损坏。大家熟知,LED是半导体产品,如果LED的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度,就会对元件造成损坏。氧化层越薄,则LED和驱动IC对静电的敏感性也就越大,例如焊锡的不饱满,焊锡本身质量存在问题等等,都会产生严重的泄漏路径,从而造成毁灭性的破坏。 另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可以产生局部地方发热,因此出现直接击穿灯管和IC的故障。即使电压低于介质的击穿电压,也会发生这种故障。一个典型的例子是,LED是PN结组成的二极管,发射极与基极间的击穿会使电流增益急剧降低。LED本身或者驱动电路中的各中IC受到静电的影响后,也可能不立即出现功能性的损坏,这些受到潜在损坏的元件通常在使用过程中才会表现出来,所以对显示屏的寿命影响都是致命的。
其实,科学的讲静电是否对LED有危害取决于三个因素:
1、静电的大小,包括电荷(量)的多少、电压的高低,极性。
2、LED的抗静电能力,有些LED芯片的抗静电能力很差,有些很优秀,这取决LED芯片本身。
3、静电对LED放电过程,包括放电时的接触电阻、接触的脉冲时间,电阻越小越容易‘过电’,放电的时间越短,产生能力越大。
从而想不发生静电对LED伤害,应从下面三方面考虑:
1、做好静电防护措施,减少静电产生的几率。但是,静电的产生是无处不在的哦;
2、采用专业的半导体抗静电测试仪去管控LED来料的ESD水平,这一类在国内大厂或者台湾欧美日地区的LED企业,早就采用了专业的ESD测试评估仪器(我们用的是台湾ZOYER的ZY910 ESD Simuletor)
3、接触到LED的人和物,做好串联静电泄放电阻,决不能直接大地,否则后果很严重,因为静电泄放必须采用一定的电阻来做限流。
回到主题,一但LED的ESD能力超过了其抵抗指标,静电对LED的危害就是:
1、导致LED的两个电极层间,形成放电小孔,导致出现了一定电阻的导通,从而出现Ir;
2、亮度会稍微降低、Vf也会略有变化;
3、当出现二次静电过来时,有可能此小孔会‘恢复’正常,LED恢复正常发光,也有可能直接‘加剧’死灯。
4、ESD击穿过的LED,可靠度会明显降低。
最后结论,像尽量避免ESD对LED击穿,选用ESD高的LED是王道。
科学的讲静电是否对LED有危害取决于三个因素:
1、静电的大小,包括电荷(量)的多少、电压的高低,极性。
2、LED的抗静电能力,有些LED芯片的抗静电能力很差,有些很优秀,这取决LED芯片本身。
3、静电对LED放电过程,包括放电时的接触电阻、接触的脉冲时间,电阻越小越容易‘过电’,放电的时间越短,产生能力越大。
从而想不发生静电对LED伤害,应从下面三方面考虑:
1、做好静电防护措施,减少静电产生的几率。但是,静电的产生是无处不在的哦;
2、采用专业的半导体抗静电测试仪去管控LED来料的ESD水平,这一类在国内大厂或者台湾欧美日地区的LED企业,早就采用了专业的ESD测试评估仪器(我们用的是台湾ZOYER的ZY910 ESD Simuletor)
3、接触到LED的人和物,做好串联静电泄放电阻,决不能直接大地,否则后果很严重,因为静电泄放必须采用一定的电阻来做限流。
从宏观上讲,静电的影响是广为人知的,如照明;从微观上讲,影响范围从电视灰尘、衣服静电到当你抚摸猫时"触电"的感觉。材料之间发生磨擦与分离会产生静电;物体表面的原子与电子发生转移或转换会产生静电。众所周知,电子合成的不平衡产生静电的电荷。这种电荷的正或负取决于自由电子的不足或充足。
电荷潜力(电位)的总额会受到接触范围(或程度)的影响,包括原料,相关湿度和原料的密度(结构)。适合30000伏电压的静电电荷是很寻常的,而且很容易产生。相比之下,仅仅是10伏的放电也可能摧毁第一类ESD敏感装置。ESD 的损害可能导致过早的或间断的设备失败。研究表明ESD对电子和其相附设备的损害估计每年高于50亿美元。
静电对电子设备所造成的危害可能发生在从制造商到野外设备的任何地方。危害是由于没有充足、有效的训练和设备操纵失灵而引起的。LED 是对静电敏感的设备。InGaN晶片通常被认为是"第一位"易受干扰的(能承受机器上的20V偏压,和人身体130V的静电),而AlInGaP LEDS 是"第二位"或更好的。
ESD被损坏的设备能显示出暗淡、模糊、熄灭、短的或低Vf或Vr。ESD被损坏的设备不应与电子过载相混淆,如:因错误的电流设计或驱动,晶片挂接,电线屏蔽接地或封装,或普通的环境诱导压力等。下列设备的可用性是已经过数据测试和分析的:
一类ESD0~1999伏:低波高频设备,肖特基,探针接触,二极管检测器,金属氧化物半导体场效应晶体管,电压校准器,操作电流,薄膜电阻,集成电路。
二类ESD2000~3999伏:金属氧化物半导体场效应晶体管,集成电路,RZ型电阻网络,功率双极转换器。
三类ESD4000~8000伏及8000伏以上:所有没有列于"一类"和"二类"表格中的微电路,微信号二极管,硅整流器,压电的晶体,薄膜电阻器,精选的金属氧化物半导体场效应晶体管,集成电路。
ESD的安全和控制程序:大多数电子和电光学公司的ESD 非常相似,并已成功地实现了所有设备 的ESD 控制、操纵和主程序。这些程序因为ESD原故已经用于检测质量效果的仪器。ISO-9000认证也把它列入正常控制程序。总体上说来,这些程序包括电荷保护的准备;基础教学;屏蔽;中和;防静电材料的应用,工作站和其它原料和设备,所有重要的以及教育。主要的控制方法是把所有的导体(或相同的潜能)接地,即所有的与电子设备连接或*近的导体。这种导体包括人、工具、垫子、其他电子设备、木板、连接器、封装等。
运输和封装:在日常操作时,ESD敏感设备应一直储存在防静电的包或容器中。这包括:详细目录的储备,运输和WIP。运输时的预防包括消耗的车队、箱子或其他设备,如带有传导性的轮子(方向盘)或拖拉链,在运送ESD 设备时接地。用于阐明和保证封装材料质量的标准是ANSI/ESD S11.31-1994 ;用于封装标记的正常使用的标准是ANSI/ESD/ESD S8.1-1993;用于封装材料的标准是ANSI/EIA-541-88 和ANSI/EIA-583-91。静电释放协会可以提供程序、方法和培训。
检验抗静电能力的仪器 目前weimin 和chroma等 几家测试仪生产厂家,都有了自己的抗静电能力的仪器。
对LED的影响,如果想确切的知道一个芯片的抗静电能力,那么就要给他持续增加静电强度,直到这颗芯片被打死,也就是说esd测试是一种破坏性测试!