这个说法应该这样理解,PNP三极管的特性与NPN的特性是相反的,画特性曲线是负方向的(电压都为负),负的越多(如IC越大,但是负值)在坐标中就位置越低,所以,对于PNP三极管,工作点越高,就越靠近零线,也就越接近截止区形成截止失真。反之,工作点越低,就越靠近负电源端,也就越接近饱和区形成饱和失真。PNP的特性曲线都是在零线以下的。
问题的核心是,NPN三极管,工作点高,Ic增加,PNP正好相反。
补充的理解不对。对于这个电路,工作点越高,基极电流越小,越远离饱和。
饱和的实质需要理解:外围电路不能提供β倍的基极电流,三极管就会进入饱和状态。为什么不能提供足够的电流呢?因为临界电流在Re、Rc上的压降之和快等于Ucc了……
应当说你的想法的对的,你说的“书”是哪本?有误人子弟之嫌!
这个问题的核心是,不管什么管子,只要集电极电流大到接近饱和,那就是饱和失真。电流接近截止就是截止失真。对PNP、NPN都一样。
工作点“高”、“低”的说法是不严密的,把它放在一边好了,关键是正确理解其物理概念。
三极管失真实际上是由于三极管饱和产生的,其主要影响因素是三极管的放大倍数、输入电压、电路的最高输出电压。
根据放大倍数及偏置条件算输出电压值您应该会的,失真是这样产生的:比如电路最高输出15V,这时根据你的输入电压及三极管偏置情况输出电压的计算值达到了18V,但由于电路最高输出电压(常由电源决定),只能输出15V,这时便产生了失真。所以校验失真主要是选定合适的工作点(要考虑到最高、最低输入电压时的输出情况)。
另外电路还涉及到频率效应,就更复杂了。这里就不再赘述了 !
感觉你这个式子Uce=Ucc-IcRc写的不对啊,应该是Uec=Ucc-IcR吧。从而Uce=-Ucc+IcRc,Q点都是一样的,只是波形相反而已,