当Ib x β > Ic 时就可以认为是饱和了，饱和的特点是Ic不会随着Ib的增加而增加。
三极管饱和状态下的特点:
要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES＝0.7V（锗管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可见，UBE＞0，UBC＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加，三极管饱和后C、E 间视为短路。饱和就是相当于导通状态，ie=ic
如果集电极接有负载电阻，饱和时基级电流仍然流向发射级，仍然是Ie＝Ib+Ic。如果集电极不接电源（通常作为衰减式电子开关用）时，集电极一般有隔直流电容，此时集电极没有静态电流。
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