DRAM的集中刷新、分散刷新、异步刷新策略都是什么区别？

2025-03-01 05:05:53

推荐回答（2个）

回答1：

一、刷新方式不同

1、集中刷新：指在规定的一个刷新周期内，对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。

2、分散刷新：指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。

3、异步刷新：指不规定一个固定的刷新周期，将每一行分来来看，只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。

二、刷新时间不同

1、集中刷新：集中刷新共需0.5*64=32us（占64个存取周期），在这段时间内存只用来刷新，阻塞一切存取操作，其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。

2、分散刷新：刷新周期为：64*1us=64us。<2ms ，在2ms丢失电荷前就会及时补充。

3、异步刷新：要使每行能在2ms内刷新一次，即每隔（2ms/64us）刷新一行，也就是对这一行来说，下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。

三、优缺点不同

1、集中刷新：优点是速度高，缺点是死时间长。

2、分散刷新：没有死时间了，缺点是速度慢。

3、异步刷新：每行刷新的时间仍为0.5us，刷新一行只停止一个存取周期，但对每行来说，刷新间隔在2ms以内，死时间缩短为0.5us。

参考资料来源：百度百科-刷新周期

回答2：

设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。
假设刷新1行的时间为0.5μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。
并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。
（64×64个单元×1B/单元 = 2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存）。
集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.5μs×64对64行依次刷新。这将占用3.2μs。在这3.2μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。
补充一点给楼主：为什么刷新与存取不能并行？：因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理，刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行。
分散刷新：在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs =
1μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定，就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样，每有64个读取操作，就会把0-63行（共计64行）全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对64行依次刷新，所以对于同一行，每64次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是1μs × 64 = 64μs ＜2ms ，在2ms丢失电荷前就会及时补充。
异步刷新：分散刷新的刷新周期64μs ，其实根本不需要这么频繁，有些浪费，异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。对于每行以2ms为刷新周期足够了，刷新循环到它需要64刷新次操作， 2ms ÷ 64 作为【每次刷新的周期】，（注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同：每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作，轮着刷新时，刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行，但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期：下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。）过64次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 64 。但是这个时间并不是绑定在存取周期内，所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。

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