1N4007二极管参数及耐压~谢了

较强的正向浪涌承受能力：30A

最大正向平均整流电流：1.0A

极限参数为VRM≥50V

最高反向耐压：1000V

最大反向漏电流：5uA

正向压降：1.0V

最大反向峰值电流：30uA

典型热阻：65℃/W

典型结电容：15pF [1] 

工作温度：－50℃～+150℃

（另据网友说，还有一种IN4007的，最高反向耐压是1200V的）

扩展资料：

1N4007主要特性：

特征：低的反向漏电流、普通塑封整流二极管、较强的正向浪涌承受能力、高温焊接保证、250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度、250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm)、引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。

机械数据：端子: 镀锡轴向引线，极性: 色环端为负极，安装位置: 任意。

参考资料：百度百科——1n4007

1N4007为普通整流二极管,封装DO-41,具体参数如下：

最大峰值反向电压:1000V

最大直流阻断电压:1000V

最大平均正向整流电流:1.0A

最大瞬间电流:1.0A

正向压降:1.0V

最大直流反向电流Ta=25℃:5.0uA

额定直流阻断电压Ta=100℃:50uA

工作温度存储温度:-65+150℃

重量:0.34克

极性:色带表示负极

扩展资料：

1N4007二极管为美国公司生产的一种硅整流二极管，型号中的“1”，表示其是具有一个PN结的半导体器件（即二极管）；字母“N”为美国EIA（电子工业协会）注册登记标志，带有该字母的二极管，表明其已在美国EIA注册登记；“N”后面的数字为该器件在美国EIA的登记号。

由于美国对半导体器件的命名方法制定的较早，之后又未做过修改，故美国公司生产的这些二极管。

二极管类型：Standard Recovery；最大持续峰值反向电压：1000V；最大均方根电压：700V；；最大直流阻断电压：1000V。

较强的正向浪涌承受能力：30A；最大正向平均整流电流：1.0A；极限参数为VRM≥50V；最高反向耐压：1000V；最大反向漏电流：5uA。

正向压降：1.0V；最大反向峰值电流：30uA；典型热阻：65℃/W；典型结电容：15pF；工作温度：-50℃～+150℃。

扩展资料

1n4007利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

参考资料来源：百度百科-二极管

参考资料来源：百度百科-1n4007

参考资料来源：百度百科-整流二极管IN4007

1N4007是一种硅材料整流二极管，把方向交替变化的交流电换成单一方向的脉冲直流电，广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。直插二极管1N4007，低频整流二极管，正向平均电流1A，耐压1000V，封装DO-41，应用范围极其广泛。

1N4007二极管具体参数详情如下：

封装形式：DO-41

反向重复峰值电压：1000V

正向平均电流：1.0A

正向不重复浪涌电流：30A

正向峰值电压：1V

反向漏电流（Ta=25°C）：5uA

热阻（典型，结和环境之间）：55°C/W

热阻（典型，结和引线之间）：25°C/W

结温：-55 °C to 125°C

储存温度：-55 °C to 150°C

1N4007二极管参数

较强的正向浪涌承受能力：30A
最大正向平均整流电流：1A
最高反向耐压：1000V
低的反向漏电流：5uA（最大值）
正向压降：1.0V
最大反向峰值电流：30uA
典型热阻：65℃/W
典型结电容：15pF