IGBT是场效应管和大功率晶体管的复合，所以门极与另外两极之间电阻很大。
对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间，门极的电容造成的影响。
门极电容导致开通时间和关断时间较长，所以处于放大区的时间较长，导致耗散功率较大。
要减少耗散功率，就要尽可能提高开关速度，现在的驱动电路都具有这个功能。
首先绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。
再回到问题：栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高，从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作，因此必须统筹兼顾。
具体还要看你应用在哪些方面了
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