求解温度升高，二极管的反向击穿电压会降低的原因。

2025-03-21 05:11:30

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回答1：

你说的只是齐纳击穿，而雪崩击穿刚好是相反的。
齐纳击穿温度升高，反向击穿电压降低；
雪崩击穿温度升高，反向击穿电压升高。
1.
齐纳击穿一般主要发生在5--7V以下的二极管中，这种二极管掺杂浓度相对较高，反向击穿是由于掺杂的少数载流子剧烈运动造成的，温度越高，少子运动越剧烈，所需要的外加电场越低就能达到击穿（即反向击穿电压越低）；
2.
雪崩击穿一般主要发生在5--7V以上的二极管中，这种二极管掺杂浓度相对较低，反向击穿是靠少子碰撞晶格原子，使原子的外层电子脱离核的束缚。这样一个少子碰撞晶格原子，撞出一个电子，一共变成了2个，2个继续碰撞变成4个，像滚雪球一样，使二极管反向导通。当温度升高时，晶格震动越剧烈，从而阻挡了少子运动，使得少子需要更大的电场才能达到击穿（级反向击穿电压越高）。
反向击穿时，两种击穿都会发生，掺杂浓度高的以齐纳击穿为主，掺杂浓度低的以雪崩击穿为主，5--7V的稳压二极管热温度系数相对较好，因为这个压降的管子齐纳和雪崩效应相当。