4MHZ的晶振主要参数有哪些

1、4MHZ的晶振主要参数：

2、晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

　　
标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。
　　
工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。
　　
调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
　　
温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。
　　
老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。（具体可查看YXC扬兴官网《晶振老化？你说咋办呢？》的相关介绍）。
　　
静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
　　
负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。（具体可查看YXC扬兴官网《晶振该如何选用电容？》的相关介绍）。
负载电容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就应选推荐值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
　　
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
　　
动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
　　
负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
　　
激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
　　
基频：在振动模式最低阶次的振动频率。
　　
泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。