有机金属化学气相沉积法的简介

2025-03-20 14:39:58

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回答1：

金属有机化学气相沉积法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ，是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。
其他类似的名称如： MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy) 、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等，其中的前两个字母 MO 或是 OM ，指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源 (precusor) 为金属有机物 Metal-organic 或是有机金属化合物 Organometallic 。而后面三个字母 CVD 或是 VPE ，指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，CVD 所指的是非晶形薄膜的成长，这种成长方式归类于沉积(Deposition)；而 VPE 所指的是具有晶形的薄膜成长方式，这种方式归类于磊晶(Epitaxy)。