什么是漏极 什么是源极 什么是栅极

场效应管有三个电极，它们分别是：

1. 栅极（Gate——G，也叫做门极）；

2. 源极(Source——S)；

3. 漏极（Drain——D）

   
   

场效应晶体管（Field Effect
Transistor缩写（FET））简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者

在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器

栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。

场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。

三个名字是从英文而来的

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场效应管中的源极和漏极可以互用也就是电源脚！栅极就是接地的意思